半导体器件及其制造方法、电子设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410528477.0

申请日：

2024-04-28

公开(公告)号：

CN120857497A

公开(公告)日：

2025-10-28

发明(设计)人：

王暾王祥升王桂磊赵超孟敬恒

申请人：

北京超弦存储器研究院

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十街18号院11号楼四层401室

IPC主分类号：

H10B41/40

IPC分类号：

H10B41/10

代理机构：

北京安信方达知识产权代理有限公司 11262

代理人：

吴凤凰;龙洪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-28	公开	公开
2025-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 41/40申请日:20240428

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法、电子设备 [P].

王暾 ;

王祥升 ;

王桂磊 ;

赵超 .

中国专利 :CN120857498A ,2025-10-28

[2]

半导体器件及其制造方法、电子设备 [P].

丁亚欣 ;

艾学正 ;

戴瑾 ;

王祥升 ;

王桂磊 ;

赵超 .

中国专利 :CN121001354A ,2025-11-21

[3]

半导体器件及其制造方法、电子设备 [P].

宋艳鹏 ;

王祥升 ;

王海玲 ;

刘晓萌 ;

王桂磊 ;

赵超 .

中国专利 :CN120751697A ,2025-10-03

[4]

半导体器件及其制造方法、电子设备 [P].

戴瑾 ;

梁静 ;

姜建鹏 ;

余泳 ;

康卜文 .

中国专利 :CN120676620A ,2025-09-19

[5]

半导体器件及其制造方法、电子设备 [P].

艾学正 ;

王祥升 ;

王桂磊 ;

桂文华 ;

赵超 .

中国专利 :CN120417367A ,2025-08-01

[6]

半导体器件及其制造方法、电子设备 [P].

王暾 ;

王祥升 ;

王桂磊 ;

赵超 .

中国专利 :CN118317602B ,2024-09-27

[7]

半导体器件及其制造方法、电子设备 [P].

李庚霏 ;

戴瑾 ;

董博闻 ;

吕浩昌 ;

董树成 ;

王桂磊 .

中国专利 :CN121174510A ,2025-12-19

[8]

半导体器件及其制造方法、电子设备 [P].

李蔚然 ;

贾礼宾 ;

平延磊 .

中国专利 :CN120201716A ,2025-06-24

[9]

半导体器件及其制造方法、电子设备 [P].

王祥升 ;

王桂磊 ;

赵超 .

中国专利 :CN116209250B ,2024-03-15

[10]

半导体器件及其制造方法、电子设备 [P].

孙祥烈 ;

毛淑娟 ;

王桂磊 ;

赵超 .

中国专利 :CN121013346A ,2025-11-25

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