用于数字材料沉积到半导体晶片上的方法及设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511024807.3

申请日：

2020-12-22

公开(公告)号：

CN120824196A

公开(公告)日：

2025-10-21

发明(设计)人：

D·L·雷维尔 S·P·张 B·S·库克 S·R·萨默菲尔德

申请人：

德州仪器公司

申请人地址：

美国德克萨斯州

IPC主分类号：

H01L21/027

IPC分类号：

H01L21/67 G03F7/16 B05D1/26 B05D3/06 B05C5/02 B05C13/02 B05C9/14 B05D3/02

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

林斯凯

法律状态：

公开

国省代码：

山东省德州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-21	公开	公开
2025-11-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/027申请日:20201222

共 50 条

[1]

用于数字材料沉积到半导体晶片上的方法及设备 [P].

D·L·雷维尔 ;

S·P·张 ;

B·S·库克 ;

S·R·萨默菲尔德 .

中国专利 :CN114787965A ,2022-07-22

[2]

用于数字材料沉积到半导体晶片上的方法及设备 [P].

D·L·雷维尔 ;

S·P·张 ;

B·S·库克 ;

S·R·萨默菲尔德 .

美国专利 :CN114787965B ,2025-08-22

[3]

通过汽相沉积在半导体晶片上沉积层的设备 [P].

G·布伦宁格 .

中国专利 :CN104254638A ,2014-12-31

[4]

用于测量在半导体晶片上的高度的方法及设备 [P].

李诗芳 ;

赵国衡 .

中国专利 :CN107683400A ,2018-02-09

[5]

用于将金属层沉积到半导体部件上的方法和设备 [P].

W·M·舒尔茨 ;

M·施庞 .

中国专利 :CN104979182B ,2015-10-14

[6]

半导体晶片的制造方法及半导体晶片 [P].

牧野亮平 ;

熊田贵夫 ;

江户雅晴 ;

高木启史 .

中国专利 :CN104064444A ,2014-09-24

[7]

半导体晶片的研磨方法及半导体晶片 [P].

桥本大辅 ;

又川敏 ;

桥井友裕 .

中国专利 :CN109643650A ,2019-04-16

[8]

半导体晶片及制造半导体晶片的方法 [P].

弗洛里安·施密特 ;

海默·舒切尔 ;

迈克尔·齐恩曼 .

中国专利 :CN102810517B ,2012-12-05

[9]

半导体晶片及切割半导体晶片的方法 [P].

元东勋 ;

李在银 ;

高永权 ;

许埈荣 .

中国专利 :CN112397447A ,2021-02-23

[10]

半导体晶片、半导体芯片及处理晶片的方法和设备 [P].

具泰亨 ;

崔三宗 ;

金泰成 ;

曹圭彻 ;

崔埈荣 ;

金熹声 ;

金娟淑 .

中国专利 :CN101752246A ,2010-06-23

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