基板集成生长装置及利用其的钙钛矿单晶生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510730494.7

申请日：

2025-06-03

公开(公告)号：

CN121087603A

公开(公告)日：

2025-12-09

发明(设计)人：

辛秉河崔荣升金旻奎

申请人：

韩国科学技术院

申请人地址：

韩国大田

IPC主分类号：

C30B7/00

IPC分类号：

C30B7/14 C30B29/12 C30B29/54 C30B29/64

代理机构：

北京弘权知识产权代理有限公司 11363

代理人：

许伟群;朴仁俊

法律状态：

公开

国省代码：

山西省晋中市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-09	公开	公开
2025-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 7/00申请日:20250603

共 50 条

[1]

钙钛矿单晶的生长方法及装置 [P].

杨亚洲 ;

刘陶然 ;

陈丹 ;

叶正澜 ;

李嘉仪 ;

左玉华 ;

郑军 ;

刘智 ;

成步文 .

中国专利 :CN114197044A ,2022-03-18

[2]

一种钙钛矿单晶及其生长方法 [P].

徐闰 ;

仝向 ;

洪子叶 ;

孟华 ;

林婧 ;

王文贞 ;

李冬梅 .

中国专利 :CN114645327A ,2022-06-21

[3]

一种钙钛矿单晶的生长方法 [P].

刘节华 ;

刘寒 ;

魏香凤 .

中国专利 :CN111058085B ,2020-04-24

[4]

一种钙钛矿单晶薄片生长装置 [P].

刘渝城 .

中国专利 :CN223535291U ,2025-11-11

[5]

温差定位诱导钙钛矿单晶的可控生长方法 [P].

徐闰 ;

王文贞 ;

景圣淇 ;

戚焕震 ;

曹港 ;

徐飞 ;

黄健 ;

赖建明 ;

李冬梅 ;

王林军 .

中国专利 :CN113061971B ,2021-07-02

[6]

CsPbBr<sub>3</sub>钙钛矿单晶的自清洁生长方法 [P].

姚准 ;

柴菲菲 ;

李贵强 ;

李兰兰 .

中国专利 :CN118497894A ,2024-08-16

[7]

单晶生长方法及生长装置 [P].

冈本勉 ;

田附幸一 ;

久保田重夫 .

中国专利 :CN1227287A ,1999-09-01

[8]

一种锡基钙钛矿单晶的生长方法 [P].

袁正赫 ;

王宁宁 .

中国专利 :CN114150363A ,2022-03-08

[9]

一种原位生长有机钙钛矿单晶薄膜生长装置 [P].

赵晋津 ;

孔国丽 ;

王晨 ;

欧云 ;

甄云策 ;

刘正浩 ;

苏晓 ;

王一 .

中国专利 :CN107400918B ,2017-11-28

[10]

一种禁带宽度可调的钙钛矿单晶生长方法 [P].

韩晓东 ;

马林 ;

严铮洸 .

中国专利 :CN110578175A ,2019-12-17

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