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一种抗冲击磁流变阻尼器

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511496742.2
申请日：
2025-10-20
公开(公告)号：
CN121047929A
公开(公告)日：
2025-12-02
发明(设计)人：
杨志荣 林焓镔 杨伟堡
申请人：
集美大学
申请人地址：
361000 福建省厦门市集美区银江路185号
IPC主分类号：
F16F9/19
IPC分类号：
F16F9/53 F16F9/36 F16F9/32
代理机构：
北京天下创新知识产权代理事务所(普通合伙) 16044
代理人：
周锋
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
福建省 厦门市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-12-19 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):F16F 9/19申请日:20251020
2025-12-02 公开 公开
共 50 条
[1]
抗冲击磁流变阻尼器 [P]. 
孙帅帅 ;
姜澜 ;
龚兴龙 ;
张世武 ;
杨健 ;
阮晓辉 .
中国专利 :CN220523160U ,2024-02-23
[2]
抗冲击磁流变阻尼器 [P]. 
王强 ;
张保成 ;
张开升 ;
于喆昌 .
中国专利 :CN105508494A ,2016-04-20
[3]
抗冲击磁流变阻尼器 [P]. 
孙帅帅 ;
姜澜 ;
龚兴龙 ;
张世武 ;
杨健 ;
阮晓辉 .
中国专利 :CN119373829A ,2025-01-28
[4]
抗冲击自供电的磁流变阻尼器 [P]. 
孙帅帅 ;
陶铸 ;
杨健 ;
阮晓辉 .
中国专利 :CN119062716A ,2024-12-03
[5]
抗冲击自供电的磁流变阻尼器 [P]. 
孙帅帅 ;
陶铸 ;
杨健 ;
阮晓辉 .
中国专利 :CN119062716B ,2025-11-07
[6]
磁流变阻尼器 [P]. 
孙荣日 ;
金玟夋 ;
成儁昊 ;
张世铉 ;
朴佑根 ;
崔承福 ;
姜秉赫 ;
金甫奎 .
韩国专利 :CN119467584A ,2025-02-18
[7]
磁流变阻尼器 [P]. 
S·伦 .
中国专利 :CN111779787B ,2020-10-16
[8]
磁流变阻尼器 [P]. 
彼得·马内克 ;
贝恩德·温克勒 ;
贝恩哈德·曼哈特斯格鲁伯 .
中国专利 :CN1553998A ,2004-12-08
[9]
磁流变阻尼器 [P]. 
周彤 ;
蒋春梅 ;
吕磊 ;
席英杰 ;
成永博 ;
蒋汶莙 ;
尹娇妹 .
中国专利 :CN119687148A ,2025-03-25
[10]
磁流变阻尼器 [P]. 
李润炫 .
中国专利 :CN105972142B ,2016-09-28
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