一种生长多量子阱的方法、多量子阱

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210625325.3

申请日：

2022-06-02

公开(公告)号：

CN114975698B

公开(公告)日：

2025-12-02

发明(设计)人：

朱建军陆书龙李雪飞杨文献

申请人：

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号

IPC主分类号：

H10H20/01

IPC分类号：

H10H20/812 H10H20/825 C23C16/30

代理机构：

深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304

代理人：

孙伟峰

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-02	授权	授权

共 50 条

[1]

多量子阱器件 [P].

片山泰尚 ;

D·纽恩斯 ;

崔章琪 .

中国专利 :CN101305467A ,2008-11-12

[2]

microLED多量子阱层生长方法 [P].

白航空 .

中国专利 :CN107833953A ,2018-03-23

[3]

一种量子阱、多量子阱外延结构及其制备方法 [P].

杨玲芳 ;

单智发 ;

张永 ;

李洪雨 ;

郑韬 .

中国专利 :CN120389289A ,2025-07-29

[4]

LED外延多量子阱层生长方法 [P].

徐平 ;

苗振林 .

中国专利 :CN112599647A ,2021-04-02

[5]

多量子阱波导对接耦合方法 [P].

胡小华 ;

王圩 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN1464603A ,2003-12-31

[6]

LED多量子阱结构装置及生长方法 [P].

蔡武 ;

郑远志 ;

周德保 ;

杨东 ;

陈向东 ;

康建 ;

梁旭东 .

中国专利 :CN103779465B ,2014-05-07

[7]

硅基混成多量子阱结构 [P].

顾溢 ;

孙夺 .

中国专利 :CN216488114U ,2022-05-10

[8]

多量子阱红外探测器 [P].

孙令 ;

王禄 ;

马紫光 ;

江洋 ;

王文新 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN110071185B ,2019-07-30

[9]

一种LED外延多量子阱层生长方法 [P].

徐平 ;

胡耀武 ;

唐海马 .

中国专利 :CN112420884A ,2021-02-26

[10]

多量子阱结构中的蚀刻面 [P].

P·阿皮拉蒂库尔 ;

达米安·兰贝特 .

中国专利 :CN113330581B ,2021-08-31

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