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半导体器件及其形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510721389.7
申请日：
2025-05-30
公开(公告)号：
CN121078761A
公开(公告)日：
2025-12-05
发明(设计)人：
蔡育霖 李冠霆 李华芸 廖亚威 殷立钊 曹修豪 魏安祺 陈嘉仁
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新竹
IPC主分类号：
H10D30/62
IPC分类号：
H10D30/01 H10D64/68 H10D62/10 H10D84/01 H10D84/83
代理机构：
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人：
章社杲;李伟
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-12-05 公开 公开
2025-12-23 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/62申请日:20250530
共 50 条
[1]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
林士豪 ;
魏子元 .
中国专利 :CN120711803A ,2025-09-26
[2]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
王楠 .
中国专利 :CN111816555A ,2020-10-23
[3]
半导体器件结构及其形成方法 [P]. 
张家豪 ;
潘冠廷 ;
游家权 ;
江国诚 ;
王志豪 .
中国专利 :CN118983311A ,2024-11-19
[4]
半导体器件结构、半导体器件及其形成方法 [P]. 
朱家宏 ;
王菘豊 ;
梁顺鑫 ;
张旭凯 ;
时定康 ;
洪宗佑 ;
蔡邦彦 ;
林耕竹 .
中国专利 :CN113488465B ,2025-07-01
[5]
半导体器件结构、半导体器件及其形成方法 [P]. 
朱家宏 ;
王菘豊 ;
梁顺鑫 ;
张旭凯 ;
时定康 ;
洪宗佑 ;
蔡邦彦 ;
林耕竹 .
中国专利 :CN113488465A ,2021-10-08
[6]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
洪中山 .
中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04
[7]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
刘金华 .
中国专利 :CN105336793B ,2016-02-17
[8]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
胡恬 ;
胡毓祥 ;
郭宏瑞 ;
余振华 .
中国专利 :CN111129254B ,2020-05-08
[9]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
黄旺骏 ;
蔡庆威 ;
程冠伦 ;
王志豪 .
中国专利 :CN113314520A ,2021-08-27
[10]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
黄旺骏 ;
蔡庆威 ;
程冠伦 ;
王志豪 .
中国专利 :CN113314520B ,2024-06-07
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