场效晶体管结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980101744.3

申请日：

2019-11-15

公开(公告)号：

CN114641865B

公开(公告)日：

2025-12-05

发明(设计)人：

廖昱程刘峻志

申请人：

北京时代全芯存储技术股份有限公司北京时代全芯存储科技有限公司

申请人地址：

100088 北京市海淀区西土城路1号院6号楼4层405

IPC主分类号：

H10D30/60

IPC分类号：

H10D30/01 H10D84/85

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-05	授权	授权
2024-12-20	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移IPC(主分类):H01L 29/78登记生效日:20241209变更事项:申请人变更前权利人:北京时代全芯存储技术股份有限公司变更后权利人:北京时代全芯存储技术股份有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:100094 北京市海淀区丰豪东路9号院中关村集成电路设计园2D座802变更后权利人:100088 北京市海淀区西土城路1号院6号楼4层405变更事项:申请人变更后权利人:北京时代全芯存储科技有限公司变更事项:国家或地区变更后权利人:中国

共 50 条

[1]

场效晶体管结构及其制造方法 [P].

廖昱程 ;

刘峻志 .

中国专利 :CN114641865A ,2022-06-17

[2]

场效晶体管结构 [P].

廖昱程 ;

刘峻志 .

中国专利 :CN210692544U ,2020-06-05

[3]

场效晶体管的制造方法及场效晶体管、及其应用 [P].

小野雅司 ;

高田真宏 ;

望月文彦 ;

田中淳 ;

铃木真之 .

中国专利 :CN103688364B ,2014-03-26

[4]

场效晶体管、其使用及其制造 [P].

R·卡科斯奇科 ;

H·图斯 .

中国专利 :CN100409455C ,2005-09-14

[5]

鳍式场效晶体管结构及其制造方法 [P].

张哲诚 ;

林志翰 .

中国专利 :CN106711143A ,2017-05-24

[6]

场效晶体管 [P].

冉晓雯 ;

廖峻宏 .

中国专利 :CN103165676B ,2013-06-19

[7]

场效晶体管 [P].

堤姆斯文森 ;

郑兆钦 ;

麦特西亚斯帕斯拉克 ;

马丁克里斯多福霍兰德 ;

陈则安 ;

李连忠 .

中国专利 :CN112687798A ,2021-04-20

[8]

纳米结构场效晶体管 [P].

陈昱婷 ;

郭玳榕 ;

张慕傑 ;

吴振诚 ;

林颂恩 ;

李资良 .

中国专利 :CN223261856U ,2025-08-22

[9]

鳍式场效晶体管结构及其制造方法 [P].

吴俊亨 .

中国专利 :CN111384047A ,2020-07-07

[10]

场效晶体管结构及其制造方法、芯片装置 [P].

任炜强 .

中国专利 :CN113113473B ,2021-07-13

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