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金属膜および金属膜の製造方法ならびに半導体装置および半導体装置の製造方法[ja]

被引：0
申请号：
JP20220094618
申请日：
2022-06-10
公开(公告)号：
JP7780391B2
公开(公告)日：
2025-12-04
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/3205
IPC分类号：
H01L21/285 H01L21/60 H01L21/768 H01L23/522 H10D12/00 H10D30/01 H10D30/66
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
金属膜および金属膜の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7730135B2 ,2025-08-27
[2]
半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
HASEGAWA TAKASHI ;
KOYAMA AKIRA ;
KATO SHINJIRO ;
KAWABATA KOHEI .
日本专利 :JP2024059850A ,2024-05-01
[3]
半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2014156791A1 ,2017-02-16
[4]
半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013021727A1 ,2015-03-05
[5]
半導体装置の製造方法および半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008152719A1 ,2010-08-26
[6]
半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019103028A1 ,2020-05-28
[7]
半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2014136303A1 ,2017-02-09
[8]
半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2014175343A1 ,2017-02-23
[9]
半導体装置の製造方法および半導体装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015145651A1 ,2017-04-13
[10]
金属膜および金属膜の成膜方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015177948A1 ,2017-04-20
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