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单光子雪崩二极管器件以及制造该单光子雪崩二极管器件的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510737627.3
申请日：
2025-06-04
公开(公告)号：
CN121126909A
公开(公告)日：
2025-12-12
发明(设计)人：
永野隆史 柳田刚志 水野郁夫
申请人：
三星电子株式会社
申请人地址：
韩国
IPC主分类号：
H10F39/18
IPC分类号：
H10F39/12 H10F39/00 H10F77/14 H10F77/20 H10F77/30 H10F30/225
代理机构：
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人：
范心田;李敬文
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-12-12 公开 公开
共 50 条
[1]
单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
吴劲昌 ;
谢晋安 ;
陈经纬 .
中国专利 :CN114038865A ,2022-02-11
[2]
单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
吴劲昌 ;
谢晋安 ;
陈经纬 .
中国专利 :CN216698365U ,2022-06-07
[3]
单光子雪崩二极管 [P]. 
谢晋安 ;
吴劲昌 .
中国专利 :CN114284383A ,2022-04-05
[4]
单光子雪崩二极管 [P]. 
谢晋安 ;
吴劲昌 .
中国专利 :CN216980588U ,2022-07-15
[5]
单光子雪崩二极管 [P]. 
谢晋安 .
中国专利 :CN216749923U ,2022-06-14
[6]
单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
格奥尔格·勒雷尔 .
:CN111033759B ,2025-06-27
[7]
单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列 [P]. 
格奥尔格·勒雷尔 .
中国专利 :CN111033759A ,2020-04-17
[8]
单光子雪崩二极管 [P]. 
郭明清 .
中国专利 :CN118315467A ,2024-07-09
[9]
单光子雪崩二极管 [P]. 
朴淳烈 .
韩国专利 :CN119029078A ,2024-11-26
[10]
单光子雪崩二极管 [P]. 
朴淳烈 .
韩国专利 :CN114914324B ,2024-09-06
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