一种提高化镀层均匀度的晶圆凸块制备工艺

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202511281850.8
申请日
2025-09-09
公开(公告)号
CN121149020A
公开(公告)日
2025-12-16
发明(设计)人
张勇 章剑
申请人
江苏晶度半导体科技有限公司
申请人地址
212499 江苏省镇江市句容市开发区崇明西路102号8号楼
IPC主分类号
H01L21/60
IPC分类号
代理机构
江苏德耀知识产权代理有限公司 32583
代理人
崔娟
法律状态
公开
国省代码
河北省 石家庄市
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共 50 条
[1]
一种改善化镀电位差的晶圆凸块制备工艺 [P]. 
章剑 ;
张勇 .
中国专利 :CN121149021A ,2025-12-16
[2]
一种半导体晶圆凸块电镀工艺 [P]. 
凌永康 ;
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黄永发 ;
章剑 .
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[3]
晶圆凸块下金属化的镀层制造工艺及其镀层结构 [P]. 
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洪学平 ;
汪文珍 .
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[4]
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于茂松 ;
曹玉微 ;
李春晖 ;
刘成喜 ;
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[5]
晶圆凸块的制备方法 [P]. 
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[6]
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[7]
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[8]
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[9]
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[10]
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