金属-绝缘体-金属电容器的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511105750.X

申请日：

2025-08-07

公开(公告)号：

CN121152222A

公开(公告)日：

2025-12-16

发明(设计)人：

杨忠博黄鹏郭振强

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H10D1/68

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

陈钧

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-16	公开	公开

共 50 条

[1]

金属-绝缘体-金属电容器结构及其制作方法 [P].

高永亮 ;

陈辉 .

中国专利 :CN106158578A ,2016-11-23

[2]

金属-绝缘体-金属电容器 [P].

黃吉河 ;

谈文毅 .

中国专利 :CN113611799B ,2021-11-05

[3]

金属-绝缘体-金属电容器结构及其制作方法 [P].

洪雅娟 ;

蔡馥郁 .

中国专利 :CN120388963A ,2025-07-29

[4]

金属-绝缘体-金属电容器 [P].

S·陈 ;

J·T·瓦特 ;

M·C·赤安 .

中国专利 :CN102217068A ,2011-10-12

[5]

金属-绝缘体-金属电容器 [P].

施启元 ;

张凯峯 ;

黄士芬 ;

戴文川 ;

邓伊筌 ;

蔡易恒 ;

林佑儒 ;

陈彦文 ;

林柏燊 ;

黄富骏 ;

郑创仁 ;

吴华书 ;

胡凡 ;

林璟晖 ;

廖彦杰 .

中国专利 :CN110660781A ,2020-01-07

[6]

金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构及其制作方法 [P].

M·奥莱瓦恩 ;

K·塞兹 .

中国专利 :CN100524613C ,2005-01-19

[7]

金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法 [P].

郑春生 ;

张文广 ;

徐强 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102420230A ,2012-04-18

[8]

金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法 [P].

郑春生 ;

张文广 ;

徐强 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102420257A ,2012-04-18

[9]

金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法 [P].

郑春生 ;

张文广 ;

徐强 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102420258A ,2012-04-18

[10]

金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法 [P].

郑春生 ;

张文广 ;

徐强 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102420229A ,2012-04-18

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