共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511133890.8
申请日：
2025-08-13
公开(公告)号：
CN121152261A
公开(公告)日：
2025-12-16
发明(设计)人：
胡嘉宁
孙文镇
刘秀勇
许晨强
申请人：
华虹半导体制造（无锡）有限公司
申请人地址：
214111 江苏省无锡市新吴区新洲路30-1号
IPC主分类号：
H10D30/66
IPC分类号：
H10D30/01
H10D62/10
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
陈钧
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-12-16 | 公开 | 公开 |