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氟化烷基化合物的制造方法及光学活性氟化烷基化合物的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202480033733.7
申请日
:
2024-05-16
公开(公告)号
:
CN121219255A
公开(公告)日
:
2025-12-26
发明(设计)人
:
根上渡部阳太
松村典明
神谷武志
申请人
:
三菱材料电子化成株式会社
申请人地址
:
日本秋田县
IPC主分类号
:
C07C17/093
IPC分类号
:
C07B39/00
C07B53/00
C07C19/08
C07C22/00
C07C22/08
C07C23/06
C07C23/08
C07C23/10
C07C23/14
C07C23/16
C07C23/18
C07C25/13
C07C41/22
C07C41/48
C07C43/12
C07C43/313
C07C67/307
C07C69/65
C07C269/06
C07C271/14
代理机构
:
北京德琦知识产权代理有限公司 11018
代理人
:
辛雪花;朴圣洁
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-12-26
公开
公开
共 50 条
[1]
N-氟烷基化合物的制造方法
[P].
白井淳
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机构:
大金工业株式会社
大金工业株式会社
白井淳
;
黑木克亲
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机构:
大金工业株式会社
大金工业株式会社
黑木克亲
;
岸川洋介
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机构:
大金工业株式会社
大金工业株式会社
岸川洋介
;
真部知幸
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机构:
大金工业株式会社
大金工业株式会社
真部知幸
.
日本专利
:CN120418225A
,2025-08-01
[2]
光学活性氟化合物的制造方法
[P].
原正治
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原正治
;
福原疆
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福原疆
.
中国专利
:CN100473638C
,2007-03-14
[3]
氨基烷基化合物
[P].
铃木启介
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铃木启介
.
中国专利
:CN111655675A
,2020-09-11
[4]
制造烷基化芳族化合物的方法
[P].
G·基什
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G·基什
;
T·E·格林
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T·E·格林
;
T·E·赫尔顿
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T·E·赫尔顿
;
W·C·霍恩
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W·C·霍恩
;
W·A·兰伯蒂
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W·A·兰伯蒂
;
陈诞仁
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陈诞仁
.
中国专利
:CN105050716A
,2015-11-11
[5]
通过均相催化制备氟烷基化化合物、氯烷基化化合物和氟氯烷基化化合物的方法
[P].
克里斯托夫·塔什勒
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克里斯托夫·塔什勒
;
弗洛伦斯奥·萨拉戈萨道尔沃德
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弗洛伦斯奥·萨拉戈萨道尔沃德
;
斯特凡·埃林格尔
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斯特凡·埃林格尔
;
马提亚·贝莱尔
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马提亚·贝莱尔
;
海尔夫里德·诺伊曼
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海尔夫里德·诺伊曼
;
何琳
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何琳
;
基肖尔·纳特
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基肖尔·纳特
.
中国专利
:CN107108390A
,2017-08-29
[6]
三氟甲基硫代烷基化合物的制造方法
[P].
金原明
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金原明
.
中国专利
:CN107074757A
,2017-08-18
[7]
金刚烷基化合物
[P].
阿德里安·慧庆·张
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阿德里安·慧庆·张
;
凯文·理查德·格廷
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凯文·理查德·格廷
;
南希-爱伦·海恩斯
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南希-爱伦·海恩斯
;
埃里克·默茨
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埃里克·默茨
;
齐莉达
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齐莉达
;
钱义民
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钱义民
;
南森·罗伯特·斯科特
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南森·罗伯特·斯科特
.
中国专利
:CN103476754A
,2013-12-25
[8]
氟化合物的制造方法
[P].
胁雅秀
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胁雅秀
;
酒井大辅
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酒井大辅
.
中国专利
:CN102256896A
,2011-11-23
[9]
含氟化合物的制造方法
[P].
冈添隆
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冈添隆
;
渡边邦夫
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渡边邦夫
;
立松伸
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立松伸
;
伊藤昌宏
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伊藤昌宏
;
白川大祐
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白川大祐
;
岩谷真男
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岩谷真男
;
冈本秀一
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冈本秀一
.
中国专利
:CN1246281C
,2003-12-10
[10]
含氟化合物的制造方法
[P].
相川光介
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机构:
AGC株式会社
AGC株式会社
相川光介
;
野崎京子
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机构:
AGC株式会社
AGC株式会社
野崎京子
;
蒂姆·加岑迈尔
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机构:
AGC株式会社
AGC株式会社
蒂姆·加岑迈尔
;
萩原理加
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机构:
AGC株式会社
AGC株式会社
萩原理加
;
松本一彦
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机构:
AGC株式会社
AGC株式会社
松本一彦
;
石桥雄一郎
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机构:
AGC株式会社
AGC株式会社
石桥雄一郎
;
柏木王明
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机构:
AGC株式会社
AGC株式会社
柏木王明
;
冈添隆
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机构:
AGC株式会社
AGC株式会社
冈添隆
.
日本专利
:CN120091986A
,2025-06-03
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