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一种三维多孔Ti<sub>3</sub>C<sub>2</sub>T<sub>x</sub> MXene制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510449028.1
申请日：
2025-04-10
公开(公告)号：
CN120172409B
公开(公告)日：
2025-12-12
发明(设计)人：
田正山 李兴武 白素贞 曲永乐 李明献 刘仕统 易静 录婷婷 王宝洁 马冰玥 曹可生 王亚波
申请人：
平顶山学院 平顶山市开元特种石墨有限公司
申请人地址：
467000 河南省平顶山市新城区未来路南段
IPC主分类号：
C01B32/90
IPC分类号：
代理机构：
郑州金成知识产权事务所(普通合伙) 41121
代理人：
白毅明
法律状态：
公开
国省代码：
内蒙古自治区 呼和浩特市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-20 公开 公开
2025-07-08 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C01B 32/90申请日:20250410
2025-12-12 授权 授权
共 50 条
[1]
一种三维多孔Ti<sub>3</sub>C<sub>2</sub>T<sub>x</sub> MXene制备方法 [P]. 
田正山 ;
李兴武 ;
白素贞 ;
曲永乐 ;
李明献 ;
刘仕统 ;
易静 ;
录婷婷 ;
王宝洁 ;
马冰玥 ;
曹可生 ;
王亚波 .
中国专利 :CN120172409A ,2025-06-20
[2]
一种环境稳定的MXene-Ti<sub>3</sub>C<sub>2</sub>T<sub>x</sub>的制备方法 [P]. 
陶绪堂 ;
李雪松 .
中国专利 :CN115650232B ,2024-05-28
[3]
一种三维多孔Ti<sub>3</sub>C<sub>2</sub>T<sub>x</sub>膜材料及其制备方法和用途 [P]. 
孙立 ;
党蕊 ;
刘建飞 ;
赵盘巢 .
中国专利 :CN118782402A ,2024-10-15
[4]
一种单质锗/Ti<sub>3</sub>C<sub>2</sub>T<sub>x</sub> MXene电极及其制备方法和应用 [P]. 
王鑫 ;
张金平 ;
杨克领 ;
高新红 ;
张存良 ;
何尚华 ;
孙亚琦 ;
魏伟 .
中国专利 :CN116053413B ,2025-03-14
[5]
一种面内多孔Ti<sub>3</sub>C<sub>2</sub>T<sub>x</sub>薄片及其构建方法 [P]. 
刘忠良 ;
李子玉 ;
张雨蒙 ;
陈鹏 ;
刘亲壮 .
中国专利 :CN119911907B ,2025-08-01
[6]
一种面内多孔Ti<sub>3</sub>C<sub>2</sub>T<sub>x</sub>薄片及其构建方法 [P]. 
刘忠良 ;
李子玉 ;
张雨蒙 ;
陈鹏 ;
刘亲壮 .
中国专利 :CN119911907A ,2025-05-02
[7]
一种V<sub>2</sub>CT<sub>x</sub>和Ti<sub>3</sub>C<sub>2</sub>T<sub>x</sub>柔性MXene复合薄膜电极材料的制备方法 [P]. 
党阿磊 ;
陈嘉禾 ;
高亚丽 ;
李铁虎 .
中国专利 :CN118448179A ,2024-08-06
[8]
一种TiC-Ti<sub>3</sub>C<sub>2</sub>T<sub>x</sub>MXene复合材料的制备方法 [P]. 
刘璐 ;
王浪涛 ;
应国兵 .
中国专利 :CN118026686B ,2025-12-19
[9]
一种TiC-Ti<sub>3</sub>C<sub>2</sub>T<sub>x</sub>MXene复合材料的制备方法 [P]. 
刘璐 ;
王浪涛 ;
应国兵 .
中国专利 :CN118026686A ,2024-05-14
[10]
一种温和的诱导Ti<sub>3</sub>C<sub>2</sub>T<sub>x</sub>材料自氧化的方法 [P]. 
李建玲 ;
钟健健 .
中国专利 :CN118213205A ,2024-06-18
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