二次电池

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411878291.4
申请日
2024-12-19
公开(公告)号
CN121149331A
公开(公告)日
2025-12-16
发明(设计)人
朴镐林 金玟佑
申请人
三星SDI株式会社
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01M10/04
IPC分类号
H01M10/052 H01M10/0525 H01M10/0585 H01M50/528 H01M50/531 H01M50/54 H01M50/586 H01M50/593
代理机构
北京德琦知识产权代理有限公司 11018
代理人
焦立波;周艳玲
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
二次电池 [P]. 
裵光守 ;
龙俊善 ;
李俊衡 ;
金正洙 .
韩国专利 :CN119092947A ,2024-12-06
[2]
二次电池 [P]. 
李铉洙 .
韩国专利 :CN117638396A ,2024-03-01
[3]
二次电池 [P]. 
丁贤基 .
韩国专利 :CN118575357A ,2024-08-30
[4]
二次电池 [P]. 
金容三 ;
金基昊 ;
柳在律 .
中国专利 :CN1753228A ,2006-03-29
[5]
二次电池及具有二次电池的二次电池模块 [P]. 
金容三 .
中国专利 :CN100405634C ,2006-03-29
[6]
二次电池和二次电池模块 [P]. 
卞相辕 ;
安柄圭 .
中国专利 :CN102208591B ,2011-10-05
[7]
二次电池和二次电池模块 [P]. 
卞相辕 ;
金容三 ;
金成培 ;
崔水石 .
中国专利 :CN102208592B ,2011-10-05
[8]
二次电池 [P]. 
崔晸宇 ;
李炳益 ;
河志光 ;
朴振燮 ;
李炅泽 ;
宋玟瑛 ;
金相勳 .
中国专利 :CN114365344A ,2022-04-15
[9]
二次电池 [P]. 
裵光守 ;
龙俊善 ;
李俊衡 ;
金正洙 .
韩国专利 :CN118825423A ,2024-10-22
[10]
二次电池 [P]. 
白胤基 ;
文永植 .
中国专利 :CN106549133B ,2017-03-29