一种沟槽肖特基势垒二极管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202423192729.1

申请日：

2024-12-24

公开(公告)号：

CN223681428U

公开(公告)日：

2025-12-16

发明(设计)人：

刘伟

申请人：

杭州立昂微电子股份有限公司

申请人地址：

310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区20号大街199号

IPC主分类号：

H10D8/60

IPC分类号：

H10D8/01 H10D62/10

代理机构：

杭州宇信联合知识产权代理有限公司 33401

代理人：

梁群兰

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-16	授权	授权

共 50 条

[1]

沟槽型肖特基势垒二极管 [P].

范志康 ;

王东升 ;

王超群 ;

颜海英 .

中国专利 :CN221176232U ,2024-06-18

[2]

一种台阶状沟槽肖特基势垒二极管 [P].

刘伟 .

中国专利 :CN223681429U ,2025-12-16

[3]

沟槽肖特基势垒二极管 [P].

安藤浩二 ;

达维德·基奥拉 .

中国专利 :CN1672257A ,2005-09-21

[4]

沟槽栅肖特基势垒二极管 [P].

张志群 ;

张峰 .

中国专利 :CN103413836A ,2013-11-27

[5]

肖特基势垒二极管 [P].

张春培 .

中国专利 :CN202084551U ,2011-12-21

[6]

肖特基势垒二极管 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN209282208U ,2019-08-20

[7]

肖特基势垒二极管 [P].

武洁 ;

徐向明 ;

李平梁 .

中国专利 :CN101136440A ,2008-03-05

[8]

沟槽式肖特基势垒二极管整流器件 [P].

刘伟 ;

王凡 ;

程义川 .

中国专利 :CN201699013U ,2011-01-05

[9]

肖特基势垒二极管 [P].

有马润 ;

藤田实 ;

川崎克己 ;

平林润 .

中国专利 :CN114830353A ,2022-07-29

[10]

肖特基势垒二极管 [P].

佐佐木公平 ;

胁本大树 ;

小石川结树 ;

韶光秀 .

中国专利 :CN110326115B ,2019-10-11

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