存储单元和具有该存储单元的半导体存储器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202511181328.2
申请日
2022-02-17
公开(公告)号
CN121218594A
公开(公告)日
2025-12-26
发明(设计)人
金承焕
申请人
爱思开海力士有限公司
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H10B12/00
IPC分类号
代理机构
北京弘权知识产权代理有限公司 11363
代理人
许伟群;林潮
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
存储单元和具有该存储单元的半导体存储器件 [P]. 
金承焕 .
韩国专利 :CN114975616B ,2025-09-12
[2]
存储单元和具有该存储单元的存储器件 [P]. 
柳丞昱 ;
尹卿烈 .
中国专利 :CN114373801A ,2022-04-19
[3]
存储单元和具有该存储单元的存储器件 [P]. 
柳丞昱 ;
尹卿烈 .
韩国专利 :CN114373801B ,2025-06-10
[4]
存储单元和具有该存储单元的半导体器件 [P]. 
柳丞昱 ;
李起洪 .
中国专利 :CN114373759A ,2022-04-19
[5]
存储单元和具有该存储单元的半导体器件 [P]. 
柳丞昱 ;
李起洪 .
韩国专利 :CN120152281A ,2025-06-13
[6]
存储单元阵列及半导体存储器件 [P]. 
寺沢朋宪 ;
村田伸一 .
中国专利 :CN101312073A ,2008-11-26
[7]
存储单元和存储器件 [P]. 
金承焕 ;
辛东善 ;
郑璲钰 ;
陈一燮 ;
车宣龙 .
韩国专利 :CN114695358B ,2025-07-18
[8]
存储单元和存储器件 [P]. 
金承焕 ;
辛东善 ;
郑璲钰 ;
陈一燮 ;
车宣龙 .
中国专利 :CN114695358A ,2022-07-01
[9]
包括存储单元的半导体存储器件 [P]. 
宋政学 ;
辛贤真 ;
李全淑 ;
李灿昊 .
韩国专利 :CN120302646A ,2025-07-11
[10]
存储单元以及具有该存储单元的半导体非易失性存储器的结构 [P]. 
小野隆 ;
藤井成久 ;
大贯健司 .
中国专利 :CN1941418A ,2007-04-04