一种区域多项式电离层斜延迟模型的构建方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511768247.2

申请日：

2025-11-28

公开(公告)号：

CN121208866A

公开(公告)日：

2025-12-26

发明(设计)人：

郭艾丽思张琦褚睿韬

申请人：

武汉大学

申请人地址：

430072 湖北省武汉市武昌区八一路299号

IPC主分类号：

G01S19/07

IPC分类号：

G01S19/40

代理机构：

南京纵横知识产权代理有限公司 32224

代理人：

毕琼

法律状态：

公开

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-26	公开	公开

共 50 条

[1]

一种确定区域电离层延迟的方法 [P].

胡伍生 ;

赵磊 ;

郑敦勇 .

中国专利 :CN103455702A ,2013-12-18

[2]

电离层延迟模型系统和建模方法 [P].

李一鹤 ;

易玉丹 ;

麦克·霍顿 ;

王达 ;

王先昆 .

中国专利 :CN112444823A ,2021-03-05

[3]

基于LSTM-Transformer模型的区域电离层延迟预测方法 [P].

吕庭彦 ;

周竞亮 ;

张睿 ;

刘佳岐 ;

江伟 .

中国专利 :CN117973440A ,2024-05-03

[4]

基于LSTM-Transformer模型的区域电离层延迟预测方法 [P].

吕庭彦 ;

周竞亮 ;

张睿 ;

刘佳岐 ;

江伟 .

中国专利 :CN117973440B ,2024-06-14

[5]

适用于区域电离层垂直总电子含量建模的改进多项式模型的建模方法 [P].

胡伍生 ;

韩理想 ;

余龙飞 ;

孙博 .

中国专利 :CN106934113A ,2017-07-07

[6]

电离层延迟模型构建和定位方法、装置、设备及存储介质 [P].

万丽华 ;

虞顺 ;

郭慧军 .

中国专利 :CN118707551A ,2024-09-27

[7]

基于全球电离层图的InSAR电离层延迟校正方法 [P].

王祎笛 ;

张云俊 ;

杨晴月 ;

王宇 .

中国专利 :CN118625322A ,2024-09-10

[8]

基于全球电离层图的InSAR电离层延迟校正方法 [P].

王祎笛 ;

张云俊 ;

杨晴月 ;

王宇 .

中国专利 :CN118625322B ,2024-10-22

[9]

一种基于ELM的区域电离层延迟实时建模方法 [P].

潘树国 ;

赵涛 ;

高旺 ;

喻国荣 ;

张正协 ;

黄砺枭 .

中国专利 :CN110377969A ,2019-10-25

[10]

一种基于区域CORS的电离层延迟修正预报方法 [P].

席广永 ;

朱付保 ;

刘嘉 ;

王华 ;

杨静 .

中国专利 :CN104090280A ,2014-10-08

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