用于硅碳负极的纳米硅掺杂多孔碳、其制备方法、硅碳负极材料及电池

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511260487.1

申请日：

2025-09-04

公开(公告)号：

CN121180972A

公开(公告)日：

2025-12-23

发明(设计)人：

金闯刘保根曹闯

申请人：

太仓斯迪克新材料科技有限公司江苏斯迪克新材料科技股份有限公司

申请人地址：

215400 江苏省苏州市太仓市经济开发区青岛西路11号1幢

IPC主分类号：

C01B32/05

IPC分类号：

C01B33/027 B82Y40/00 B82Y30/00 H01M4/583 H01M4/36

代理机构：

北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369

代理人：

李淑亚

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省徐州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-23	公开	公开

共 50 条

[1]

硅碳负极材料及硅碳负极材料的制备方法 [P].

李宁 ;

余德馨 ;

傅儒生 ;

仰韻霖 .

中国专利 :CN118983419A ,2024-11-19

[2]

硅碳负极材料、多孔碳及制备方法 [P].

李泉 ;

白宇 ;

宋宏芳 ;

滕克军 ;

李文卓 ;

赵东辉 .

中国专利 :CN120483150A ,2025-08-15

[3]

氮掺杂多孔碳、硅碳负极材料及制备方法、应用和电池 [P].

黄富强 ;

高雨莎 ;

刘勇 ;

曹宇舸 ;

毕辉 ;

吕卓然 ;

李永 ;

董武杰 ;

杨丞 .

中国专利 :CN120922847A ,2025-11-11

[4]

多孔碳材料及硅碳负极材料的制备方法 [P].

白宇 ;

宋宏芳 ;

张元辉 ;

滕克军 ;

赵东辉 .

中国专利 :CN118108205A ,2024-05-31

[5]

磷掺杂多孔碳、硅碳负极材料及制备方法、应用和电池 [P].

黄富强 ;

曹宇舸 ;

董武杰 ;

毕辉 ;

方裕强 ;

朱宇 ;

吕卓然 .

中国专利 :CN121085246A ,2025-12-09

[6]

多孔碳及其制备方法、硅碳负极材料、硅碳负极材料的制备方法 [P].

栗广奉 ;

孔祥云 ;

郑安雄 ;

阮愉悦 .

中国专利 :CN117776183B ,2024-11-15

[7]

多孔碳及其制备方法、硅碳负极材料、硅碳负极材料的制备方法 [P].

栗广奉 ;

郑安雄 ;

张鹏飞 ;

阮愉悦 ;

孔祥云 .

中国专利 :CN117776183A ,2024-03-29

[8]

连续制备硅碳负极材料的方法、硅碳负极材料和电池 [P].

吴胜水 ;

刘风羽 ;

吴泽俊 ;

马克旻 .

中国专利 :CN119050258A ,2024-11-29

[9]

硅碳负极材料的制备方法、硅碳负极材料及锂电池 [P].

冯明阳 ;

李辉 ;

王琼 ;

于立娟 ;

胡大林 ;

廖兴群 .

中国专利 :CN119008907A ,2024-11-22

[10]

硅碳负极活性材料及其制备方法、硅碳负极材料及电池 [P].

潘科成 ;

王伟成 ;

李明慧 ;

张彰 ;

周震 .

中国专利 :CN116344809B ,2025-08-26

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