一种制备高纯二氧化硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511286825.9

申请日：

2025-09-10

公开(公告)号：

CN120793940B

公开(公告)日：

2025-12-16

发明(设计)人：

胡红杰杨冠草徐倩杨代权牛聪明李建新

申请人：

上海亿钶气体股份有限公司

申请人地址：

200333 上海市普陀区同普路1030号1号楼2楼东侧01室

IPC主分类号：

C01B33/12

IPC分类号：

代理机构：

杭州九洲专利事务所有限公司 33101

代理人：

翁玮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	公开	公开
2025-12-16	授权	授权
2025-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 33/12申请日:20250910

共 50 条

[1]

一种制备高纯二氧化硅的方法 [P].

胡红杰 ;

杨冠草 ;

徐倩 ;

杨代权 ;

牛聪明 ;

李建新 .

中国专利 :CN120793940A ,2025-10-17

[2]

高纯二氧化硅的制备装置 [P].

赵志波 ;

于秀暖 .

中国专利 :CN222076755U ,2024-11-29

[3]

一种高纯二氧化硅加工系统及高纯二氧化硅加工方法 [P].

候军军 .

中国专利 :CN119608389A ,2025-03-14

[4]

一种高纯二氧化硅的制备方法 [P].

郝承志 ;

董素娟 .

中国专利 :CN104229807A ,2014-12-24

[5]

高纯二氧化硅生产方法 [P].

藏健 ;

杨大锦 ;

彭建蓉 ;

陈加希 ;

俞德庆 ;

和晓才 ;

董英 .

中国专利 :CN101125657A ,2008-02-20

[6]

一种制备高纯球形二氧化硅的方法及高纯球形二氧化硅 [P].

王瑞聪 ;

银波 ;

范协诚 ;

闵中龙 ;

仝少超 .

中国专利 :CN112194142A ,2021-01-08

[7]

一种高纯二氧化硅及其制备方法 [P].

雷琦 ;

胡动力 ;

章金兵 .

中国专利 :CN118026187A ,2024-05-14

[8]

一种纳米高纯二氧化硅的制备方法 [P].

马兵 ;

陈运法 ;

张建森 .

中国专利 :CN1281488C ,2005-12-28

[9]

一种高纯二氧化硅颗粒的制备方法 [P].

赵志波 ;

于秀暖 .

中国专利 :CN116969476B ,2024-04-26

[10]

一种高纯二氧化硅颗粒的制备方法 [P].

李婷 ;

李超 ;

刘俊龙 ;

程周耀 ;

黄丰毅 ;

骆绪伟 .

中国专利 :CN117361872B ,2025-09-09

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