UNIFORM AVALANCHE EFFECT IN SILICON 3-LAYER DIODES

被引：11

作者：

GOETZBERGER, A

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1735533

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2260 / 2261

页数：2

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共 5 条

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