GAAS POWER MESFETS PREPARED BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

被引：7

作者：

SHINO, T

YANAGAWA, S

YAMADA, Y

ARAI, K

KAMEI, K

CHIGIRA, T

NAKANISI, T

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1981年 / 17卷 / 20期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19810519

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：738 / 739

页数：2

相关论文

共 4 条

[1]

BONNET M, UNPUBLISHED

[2]

BONNET M, 1981, MAY INT C MET VAP PH

[3] NEW METHOD FOR THE GROWTH OF GAAS EPILAYER AT LOW H-2 PRESSURE [J].

DUCHEMIN, JP ;

BONNET, M ;

KOELSCH, F ;

HUYGHE, D .

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1978, 45 (01) :181-186

[4]

NAKANISI T, 1981, SEP INT C MET VAP PH