ELECTRON TRAPS IN N-GAAS REVEALED BY HIGH-TEMPERATURE HALL MEASUREMENTS

被引：7

作者：

IKOMA, H

WANG, SS

机构：

[1] Toshiba Research and Development Center, Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd., Kawasaki

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JPSJ.27.512

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：512 / &