EFFECT OF UNIAXIAL STRESS ON SILICON AND GERMANIUM

被引：2

作者：

BULTHUIS, K

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0375-9601(67)90016-3

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：512 / &

共 15 条

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