NEW MESA-ETCHING TECHNIQUE FOR GALLIUM-ARSENIDE

被引：3

作者：

ARORA, BM ^{[1
]}

KARULKAR, VT ^{[1
]}

GUHA, S ^{[1
]}

机构：

[1] TATA INST FUNDAMENTAL RES,BOMBAY 5,INDIA

来源：

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE | 1973年 / 8卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1007/BF00550468

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

收藏

页码：611 / 611

页数：1

相关论文

共 3 条

[1] METAL-SEMICONDUCTOR CONTACTS FOR GAAS BULK EFFECT DEVICES [J].

BRASLAU, N ;

GUNN, JB ;

STAPLES, JL .

SOLID-STATE ELECTRONICS, 1967, 10 (05) :381-+

[2]

HAISTY RW, 1961, J ELECTROCHEM SOC, V108, P790

[3] SHAPED MESAS ON GALLIUM ARSENIDE [J].

MILLER, CA ;

SHUTTLEWORTH, JB .

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 1971, 6 (09) :1231-+