ELECTROREFLECTANCE AND PHOTO-LUMINESCENCE STUDIES OF INP EPITAXIAL LAYERS HIGHLY DOPED WITH SELENIUM

被引：14

作者：

RACCAH, PM

RAHEMI, H

ZEHNDER, J

HAWRYLO, FZ

KRESSEL, H

HELMAN, JS

机构：

[1] RCA,PRINCETON,NJ 08540

[2] NATL POLYTECH INST,CTR INVEST,DEPT FIS,MEXICO CITY 14,MEXICO

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.92772

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：496 / 498

页数：3

共 4 条

ASPNES, DE .

[2]

BROWN KE, 1974, SOLID STATE ELECTRON, V17, P507

HAWRYLO, FZ .

[4] BAND STRUCTURE AND HIGH-FIELD TRANSPORT PROPERTIES OF INP [J].

JAMES, LW ;

VANDYKE, JP ;

HERMAN, F ;

CHANG, DM .

PHYSICAL REVIEW B-SOLID STATE, 1970, 1 (10) :3998-+