THERMAL-STABILITY OF THE LONG-PERIOD POLYTYPE OF SIC, 51R, AT 2500-DEGREES-C

被引：5

作者：

INOUE, Z

INOMATA, Y

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(80)90139-6

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：779 / 782

页数：4

共 13 条

[1]

FRANK FC, 1951, PHILOS MAG, V42, P1014

[2]

HAGG G, 1943, ARK KEM MINERAL GEOL, VB17, P10

[3]

Inomata Y., 1969, Journal of Crystal Growth, V5, P405, DOI 10.1016/0022-0248(69)90044-X

[4]

Inomata Y., 1969, J CERAMIC ASS JAPAN, V77, P130

[5]

INOUE Z, 1978, INT C VAPOR GROWTH E, P22

[6]

INOUE Z, UNPUBLISHED

[7]

JAGODZINSKI H, 1954, NEUES JAHRB MINERAL, V3, P49

[8]

LUNDQVIST D, 1948, ACTA CHEM SCAND, V2, P177

[9]

PEIST H, 1963, Z PHYSIK CHEM, V223, P193

[10] DEVELOPMENTS IN SILICON CARBIDE RESEARCH [J].

RAMSDELL, LS ;

KOHN, JA .