CHANNELED-ION IMPLANTATION OF GROUP-III AND GROUP-V IONS INTO SILICON

被引：24

作者：

FURUYA, T

NISHI, H

INADA, T

SAKURAI, T

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1978年 / 49卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1063/1.325399

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：3918 / 3921

页数：4

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APPLIED PHYSICS LETTERS, 1976, 29 (12) :770-772