RANGE DISTRIBUTION CHARACTERISTICS OF H+ AND HE++ IONS WITH ENERGIES(5 TO 2)X103-KEV IMPLANTED INTO SILICON

被引：7

作者：

AKKERMAN, AF

AKKERMAN, SA

机构：

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1981年 / 68卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210680109

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：69 / 75

页数：7

共 19 条

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