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SPATIAL VARIATION OF CHARGED GOLD CONCENTRATION IN SILICON P-N STEP JUNCTIONS

被引：8
作者：
SCHRODER, DK
TASCH, AF
SAH, CT
机构：
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1968年 / ED15卷 / 08期
关键词：
D O I：
10.1109/T-ED.1968.16402
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：553 / +
页数：1
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