MONOLITHIC INTEGRATION OF FULLY ION-IMPLANTED LATERAL GAINAS PIN DETECTOR/INP JFET AMPLIFIER FOR 1.3-1.55-MU-M OPTICAL RECEIVERS

被引：15

作者：

LEE, WS

KITCHING, SA

BLAND, SW

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19890357

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：522 / 523

页数：2

共 5 条

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