INFLUENCE OF RECOMBINATION IN P-N-JUNCTION SPACE-CHARGE REGION ON PHOTOCURRENT UNDER PARALLEL ILLUMINATION

被引：3

作者：

SOSTARICH, M ^{[1
]}

机构：

[1] BUCHAREST UNIV, FAC PHYS, BUCHAREST, ROMANIA

来源：

INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS | 1973年 / 35卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1080/00207217308938542

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：277 / 280

页数：4

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共 2 条

[1] PHOTOVOLTAIC EFFECTS IN LATERALLY ILLUMINATED P-N-JUNCTIONS [J].

CONSTANTINESCU, C ;

GOLDENBLUM, A ;

SOSTARICH, M .

INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS, 1973, 35 (01) :65-72

[2]

Kagan M. B., 1970, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, V4, P1421