LATTICE LOCATION OF BORON IMPLANTED SILICON AFTER LASER ANNEALING

被引：5

作者：

FOTI, G

DELLAMEA, G

机构：

[1] CNR,GRP NAZL STRUTT MAT,I-95129 CATANIA,ITALY

[2] CNR,GRP NAZL STRUTT MAT,I-35100 PADUA,ITALY

[3] UNIV PADUA,IST FIS,I-35100 PADUA,ITALY

来源：

LETTERE AL NUOVO CIMENTO | 1978年 / 21卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1007/BF02762794

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

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