INFLUENCE OF INTERFACE STATES ON DYNAMIC TRANSCONDUCTANCE OF MIS-FETS

被引：5

作者：

SCHRADER, L ^{[1
]}

机构：

[1] INST ANGEW PHYS,D-4400 MUNSTER,FED REP GER

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(77)90042-9

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：671 / 674

页数：4

共 14 条

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