DISLOCATION DISSOCIATION WIDTHS IN SILICON AT LOW-TEMPERATURE UNDER CONTROLLED HIGH-STRESS ORIENTATIONS

被引：14

作者：

DEMENET, JL

GROSBRAS, P

GAREM, H

DESOYER, JC

机构：

来源：

PHILOSOPHICAL MAGAZINE A-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STRUCTURE DEFECTS AND MECHANICAL PROPERTIES | 1989年 / 59卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1080/01418618908229781

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：501 / 518

页数：18

共 23 条

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