RADIATION-INDUCED DEFECTS IN SILICON AT ROOM-TEMPERATURE

被引：7

作者：

PASEMANN, M

WERNER, P

机构：

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1980年 / 58卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210580141

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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共 2 条

[1] IDENTIFICATION OF SMALL DEFECTS IN SILICON [J].

PASEMANN, M ;

WERNER, P .

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 1979, 54 (01) :179-188

[2]

SEEGER A, 1977, I PHYS C SERIES, V31, P12