TESTING MODELS OF I/V CHARACTERISTICS OF PLANAR-DOPED BARRIER DIODES

被引:2
作者
KEARNEY, MJ
KERR, TM
KELLY, MJ
CONDIE, A
DALE, I
机构
[1] GEC Hirst Research Cent, United Kingdom
关键词
6;
D O I
10.1049/el:19890769
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页码:1145 / 1147
页数:3
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