POLARIZABILITY ENHANCEMENT IN DOPED SEMICONDUCTORS NEAR THE METAL-INSULATOR-TRANSITION

被引：3

作者：

AGASSI, D

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1980年 / 22卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.22.2803

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：2803 / 2815

页数：13

共 42 条

[1] QUANTUM THEORY OF DIELECTRIC CONSTANT IN REAL SOLIDS [J].

ADLER, SL .

PHYSICAL REVIEW, 1962, 126 (02) :413-+

AGASSI, D ;

KO, CM ;

WEIDENMULLER, HA .

[3]

Agassi D., 1975, PHYSICS REPORTS C, V22C, P147

[4] ABSENCE OF DIFFUSION IN CERTAIN RANDOM LATTICES [J].

ANDERSON, PW .

PHYSICAL REVIEW, 1958, 109 (05) :1492-1505

ANTONIOU, PD ;

ECONOMOU, EN .

PHYSICAL REVIEW B, 1977, 16 (08) :3768-3781

[6]

Bethe H.A., 1957, QUANTUM MECHANICS ON, P264

[7]

BOTTCHER CJF, 1973, THEORY ELECTRIC POLA, V1

[8]

BRANDOW BH, 1976, INT J QUANTUM CHEM S, V10, P417

[9]

Callaway J., 1974, QUANTUM THEORY SOLID

[10] NOTE ON ONE-DIMENSIONAL HUBBARD MODEL [J].

CAMP, WJ .