NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE AT ROOM-TEMPERATURE FROM RESONANT TUNNELING IN GAINAS/INP DOUBLE-BARRIER HETEROSTRUCTURES

被引：6

作者：

RAZEGHI, M

TARDELLA, A

DAVIES, RA

LONG, AP

KELLY, MJ

BRITTON, E

BOOTHROYD, C

STOBBS, WM

机构：

[1] GEC RES LTD,HIRST RES CTR,WEMBLEY HA9 7PP,MIDDX,ENGLAND

[2] UNIV CAMBRIDGE,DEPT MAT SCI & MET,CAMBRIDGE CB2 3QZ,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19870082

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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