ELECTRONIC CONDUCTION IN SILICON CARBIDE

被引：37

作者：

KENDALL, JT

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1699040

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];

学科分类号：

070304 ; 081704 ;

摘要：

引用

页码：821 / 827

页数：7

共 8 条

[1] BUSCH G, 1946, HELV PHYS ACTA, V19, P463
[2] BUSCH G, 1946, HELV PHYS ACTA, V19, P167
[3] ON THE MECHANISM OF IMPURITY BAND CONDUCTION IN SEMICONDUCTORS
ERGINSOY, C
[J]. PHYSICAL REVIEW, 1950, 80 (06): : 1104 - 1105
[4] KENDALL JT, 1947, P INT C PURE APPL CH, V11, P167
[5] LUNDQVIST D, 1948, ACTA CHEM SCAND, V2, P177
[6] MOERS K, 1931, Z ANORG ALLG CHEM, V198, P243
[7] Pauling L., 1940, NATURE CHEMICAL BOND, P58
[8] THE FORMATION AND CRYSTAL STRUCTURE OF SILICON CARBIDE
TAYLOR, A
LAIDLER, DS
[J]. BRITISH JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1950, 1 (JUL): : 174 - 181