ELECTRICAL-PROPERTIES OF PROTON AND DEUTERIUM ION-IMPLANTED NORMAL-TYPE GAAS

被引：3

作者：

HARRISON, HB ^{[1
]}

MARTIN, AL ^{[1
]}

机构：

[1] TELECOM AUSTRALIA,RES LABS,CLAYTON,VIC 3168,AUSTRALIA

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.327967

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2935 / 2936

页数：2

共 6 条

[1]

ANDERSON MM, 1977, STOPPING RANGES IONS, V3

[2] MULTIPLE-ENERGY PROTON-BOMBARDMENT IN N+-GAAS [J].

DONNELLY, JP ;

LEONBERGER, FJ .

[3] THEORETICAL CONSIDERATIONS ON LATERAL SPREAD OF IMPLANTED IONS [J].

FURUKAWA, S ;

ISHIWARA, H ;

MATSUMURA, H .

[4]

MARTIN AL, 1979, 7250 TEL AUSTR RES L

[5]

MILLER GL, 1975, ANN REV MATER SCI 19, P377

[6]

SMITH BJ, HL772440 AERE HARW R, pC15