ANALYSIS OF POPULATION INVERSION FOR LASING THRESHOLD IN SEMICONDUCTORS

被引：2

作者：

SATO, H

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1968年 / 7卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.7.409

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：409 / &

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