HIGH-RATE GROWTH AT LOW-TEMPERATURES BY FREE-JET MOLECULAR-FLOW - SURFACE-REACTION FILM-FORMATION TECHNOLOGY

被引：25

作者：

OHMI, T ^{[1
]}

MORITA, M ^{[1
]}

KOCHI, T ^{[1
]}

KOSUGI, M ^{[1
]}

KUMAGAI, H ^{[1
]}

ITOH, M ^{[1
]}

机构：

[1] TOKYO ELECTRON LTD,MIDORI KU,YOKOHAMA 226,JAPAN

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1988年 / 52卷 / 14期

关键词：

D O I：

10.1063/1.99196

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：1173 / 1175

页数：3

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共 2 条

[1] A STAGNANT LAYER MODEL FOR EPITAXIAL GROWTH OF SILICON FROM SILANE IN A HORIZONTAL REACTOR [J].

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OHMI T, 1987, IN PRESS 1ST P INT S