SELECTIVE EPITAXIAL-GROWTH OF GAAS FROM LIQUID-PHASE

被引：6

作者：

ISHIHARA, O ^{[1
]}

OTSUBO, M ^{[1
]}

MITSUI, S ^{[1
]}

机构：

[1] MITSUBISHI ELECT CORP, CENT RES LAB, ITAMI, HYOGO, JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1977年 / 16卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.16.2109

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：2109 / 2113

页数：5

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共 12 条

[11] PREFERENTIAL ETCHING AND ETCHED PROFILE OF GAAS [J].

TARUI, Y ;

KOMIYA, Y ;

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JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1971, 118 (01) :118-&

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TAUSCH FW, 1965, J ELECTROCHEM SOC, V112, P706, DOI 10.1149/1.2423670