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COMPARISON OF HG0.6CD0.4TE LPE LAYER GROWTH FROM TE-RICH, HG-RICH, AND HGTE-RICH SOLUTIONS
被引:53
作者
:
BOWERS, JE
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BOWERS, JE
SCHMIT, JL
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SCHMIT, JL
SPEERSCHNEIDER, CJ
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SPEERSCHNEIDER, CJ
MACIOLEK, RB
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MACIOLEK, RB
机构
:
来源
:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
|
1980年
/ 27卷
/ 01期
关键词
:
D O I
:
10.1109/T-ED.1980.19813
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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SOLID SOLUTION IN A-II B-VI TELLURIDES
WOOLLEY, JC
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WOOLLEY, JC
RAY, B
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RAY, B
[J].
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS,
1960,
13
(1-2)
: 151
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