K-X-RAY SPECTRA OF AMORPHOUS AND CRYSTALLINE SILICON

被引：21

作者：

SENEMAUD, C

COSTALIMA, MT

机构：

[1] Laboratoire de Chimie Physique, 11, rue Pierre et Marie Curie

来源：

JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS | 1979年 / 33卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1016/0022-3093(79)90044-9

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

K X-ray emission and absorption spectra of crystalline and amorphous silicon have been analysed and compared to band structure calculations. The experimental results confirm the influence of rings and bound-angle fluctuations on different regions of the valence and conduction band of amorphous silicon. © 1979.

引用

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[1] CORE EXCITONS AND SOFT-X-RAY THRESHOLD OF SILICON [J].