A NEW FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH SELECTIVELY DOPED GAAS-N-ALXGA1-XAS HETEROJUNCTIONS

被引:578
作者
MIMURA, T
HIYAMIZU, S
FUJII, T
NANBU, K
机构
关键词
D O I
10.1143/JJAP.19.L225
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:L225 / L227
页数:3
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