NITROGEN-ION IMPLANTATION ON P-SILICON IN ENERGY BETWEEN 20 AND 215 KEV

被引：2

作者：

CIANFRONE, F

FASOLI, U

MAZZOLDI, P

机构：

来源：

NUOVO CIMENTO B | 1968年 / 57卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1007/BF02710221

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：534 / +

页数：1

共 7 条

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