NEW ESTIMATE OF THE MINIMUM NOISE-FIGURE OF A MESFET

被引：1

作者：

BREWITTTAYLOR, CR

ROBSON, PN

SITCH, JE

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19780553

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：818 / 820

页数：3

共 9 条

BAECHTOLD, W .

[2]

BREWITTTAYLOR CR, 1978, 8TH P EUR MICR C PAR, P415

[3]

BUTLIN RS, 1977, GALLIUM ARSENIDE REL, P237

[4] HIGH-FIELD DIFFUSION OF ELECTRONS IN SILICON [J].

CANALI, C ;

JACOBONI, C ;

OTTAVIANI, G ;

ALBERIGIQUARANTA, A .

[5] CALCULATION OF HOT ELECTRON DIFFUSION RATE FOR GAAS [J].

FAWCETT, W ;

REES, HD .

[6]

HILL GS, UNPUBLISHED

[7]

Pucel RA, 1975, ADV ELECTRONICS ELEC, V38, P195, DOI DOI 10.1016/S0065-2539(08)61205-6

[8]

SHOCKLEY W, 1966, QUANTUM THEORY ATOMS, P537

[9]

TURNER JA, 1968, P INT S GAAS RELATED, P195