COMPARISON OF MODELS FOR REDISTRIBUTION OF DOPANTS IN SILICON DURING THERMAL OXIDATION

被引：9

作者：

ALLEN, WG

ATKINSON, C

机构：

[1] NEWCASTLE POLYTECH,DEPT PHYS & PHYS ELECTR,NEWCASTLE,ENGLAND

[2] IMPERIAL COLL SCI & TECHNOL,DEPT MATH,LONDON,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(73)90084-1

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1283 / 1287

页数：5

共 7 条

[1] ORIENTATION DEPENDENCE OF DIFFUSION OF BORON IN SILICON [J].

ALLEN, WG ;

ANAND, KV .

BUEHLER, MG ;

HUANG, JST ;

WELLIVER, LC .

[3]

CAVE KJS, 1966, SOLID STATE ELECTRON, V9, P910

CAVE, KJS .

CHEN, WH ;

CHEN, WS .

HUANG, JST ;

WELLIVER, LC .

[7]

KATO T, 1964, JPN J APPL PHYS, V3, P377